教育
Eng博士。,1984年东京理工学院
m·英格。,1981年东京理工学院
大学BSEE工程和技术、达卡,孟加拉国,1969
利益
微电子学
出版物
- 拉赫曼,马哈茂德世界货币基金a . Mutlu诺曼·g·冈瑟”分析二维对亚微米金属氧化物半导体晶体管阈下电流的影响,“固态电子、46卷,8个问题,帕加马,2002年8月,页1133 - 1137。
- 拉赫曼,马哈茂德和杨Zemo Samiha Mourad,“信号完整性和设计考虑MCM的视频图形加速,“IEEE反式。先进的包装,24卷,3号,2001年8月,页309 - 316。
- 拉赫曼,马哈茂德和诺曼·g·冈瑟世界货币基金A . Mutlu”的方式修正变分原理对金属氧化物半导体设备,导致深子- 0.1微米MOS电容器模型,”发表在《应用物理。
- 拉赫曼与尤里Glukhoy马哈茂德,格策波波夫,亚历山大•Usenko和汉斯·j . Walitzki”表征的高密度等离子体浸没离子注入机和可伸缩的大面积ECR等离子体源”发表在表面和涂层技术。
- 用n g·冈瑟•拉赫曼马哈茂德,a . a . Mutlu相依挖。61设备研究会议上,即将于6月23日至25日,2002年,犹他州盐湖城犹他大学(IEEE,皮斯卡塔韦,新泽西,2002),页53-54。
